Die schweizer Firma Diramics ist spezialisiert auf ultra-rauscharme, ungehäuste Transistoren und MMICs für anspruchsvolle Anwendungen im K-Band, Ka-Band, E-Band und W-Band, z. B. Satellitenkommunikation, Verteidigungstechnik und Body Scanner.

Diskrete pHEMTs

Die ph-100 pHEMT Technologie ermöglicht die niedrigsten Rauschzahlen für kommerziell verfügbare Transistoren. Die Indium-Phosphid pHEMTs überzeugen bei kryogenischen und Raumtemperatur-Anwendungen.
Exakte Kleinsignal- und Rausch-Modelle vereinfachen und beschleungen das LNA-Design.

Verfügbare Abmessungen für die pH-100-Technologie

Gate-Länge:	100 nm
Fingerbreite:	10 μm – 150 μm
Zahl der Finger:	2 / 4 / 6

Characteristika eines 4 x 20 μm Transistors (inkl. Bond-/Probe-Pads)

	300 K	15 K
fT:	220 GHz	235 GHz
fMAX:	550 GHz	800 GHz
gm:	1250 mS/mm	1500 mS/mm
NFmin (@30GHz)	0.6 dB	0.08 dB
Tmin (@30GHz)	43 K	5 K

Diramics Transistor-Datenblätter

InP pHEMT MMIC LNAs

Diramics stellt auch LNAs her, die auf dem gleichen Prozess basieren wie die rauscharmen Transistoren. Die ultra-rauscharmen LNAs decken den Frequenzbereich von 12 GHz bis 86 GHz ab.

Daten des 70 GHz bis 86 GHz LNA:
Rauschzahl:                 2.5 dB (simuliert)
Gewinn:                        23 dB
Eingangsanpassung (S11):    <-5 dB
Ausgangsanpassung (S22):  <-7 dB
Spannungsversorgung:  Vg = 70 mV, Vd = 1.4 V @48 mA
Chipgröße: 2.89 mm x 1 mm x 0.1 mm

Ultra Low Noise Foundry Service

Die Transistoren der Serie pH-100 sind AlInAs/InGaAs-pHEMTs auf InP-Substraten. Die Gate-Breite und die Anzahl der Finger können je nach Anwendung angepasst werden. Die Transistortechnologie bietet ultimative Rauschleistung bei kryogenen Temperaturen und bietet hervorragende Rauschwerte bei Raumtemperatur. Alle typischen passiven Elemente wie Dünnfilmwiderstände, Kondensatoren und Induktivitäten sind im PDK enthalten, um Mikrostreifen- und koplanare Schaltungsdesigns zu ermöglichen. Es gibt zwei MIM-Kondensatoroptionen, die sowohl kleine Kapazitätswerte als auch kompakte hochkapazitive Elemente ermöglichen.
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