Barry Industries  aus Massachusetts ist der führende Hersteller resistiver HF-Komponenten für Telekommunikation, Verteidigungstechnik und Medizintechnik. Barry Produkte stehen für höchste Qualität, die sichergestellt wird durch die vertikale Integration im Haus von der Entwicklung über alle Fertigungsschritte bis zum Funktionstest (HF bis 60GHz, Pulsleistungs- und Hochspannungstests) und High-Rel Screening für militärische und Raumfahrt-Anwendungen.Barry catalogue resistive components

The ART of Passive Components:
A
ttenuators (HF-Dämpfungsglieder), Resistors (HF-Widerstände), Terminations (HF-Abschlusswiderstände)
auf Substraten wie Aluminiumoxid (Al2O3), Aluminiumnitrit (AlN) und Berylliumoxid (BeO).

Produktübersicht Passive Komponenten.
Hier können Sie den Barry-Katalog der resistiven Standardkomponenten herunterladen.
Auf Anfrage senden wir Ihnen gerne ein gedrucktes Exemplar.

HF-Dämpfungsglieder, HF-Abschwächer

Barry fertigt Hochfrequenz-Dämpfungsglieder als Chips, mit Anschlussfahnen und mit Flansch. 

HF-Dämpfungsglieder als ChipsBarry wraparound chip attenuators

Barry leaded RF attenuatorsHF-Dämpfungsglieder mit Anschlussfahnen


Barry high power flanged RF attenuatorsHF-Dämpfungsglieder mit Metallflansch

  • HF-Dämpfungsglieder mit versilbertem Kupfer-Flansch
  • mit Aluminiumnitrit (AlN) Substrat bis 800W
  • mit Berylliumoxid (BeO) Substrat bis 3000W
  • neues Highlight: 30dB Dämpfung, bis 800W bei 4,5GHz
  • Dämpfungswerte 0,5dB, 1dB, 1,5dB, 2dB, 2,5dB, 3dB, 4dB, 5dB, 6dB, 10dB, 15dB, 20dB, 25dB, 30dB, 31dB

HF-Widerstände für hohe Frequenzen und hohe Leistungen

Dickschicht-Hochfrequenz-Chipwiderstände von BarryBarry chip resistors

  • SMD-Widerstände in Größen von 0201 bis 5050
  • Widerstandswerte von 0,1Ohm bis 1GOhm, auch Null-Ohm-SMD-Brücken
  • Toleranzen bis 1%
  • Temperaturbereich -55°C bis 150°C
  • zum Löten, Drahtbonden oder Epoxy-Kleben
  • verschiedene Anschlusskonfigurationen von full wraparound bis single-sided
  • auf Aluminiumoxid (Al2O3) Substrat bis 80W CW-Verlustleistung
  • auf Aluminiumnitrit (AlN) Substrat bis 270W CW-Verlustleistung
  • auf Berylliumoxid (BeO) Substrat bis 400W CW-Verlustleistung

Nichtmagnetische Dickschicht-Chipwiderstände für MRTBarry flip chip resistors

  • nichtmagnetische SMD-Widerstände in Größen von 0202 bis 5050
  • auf Al2O3, AlN, oder BeO, Widerstandswerte und Verlustleistung wie oben
  • zum Löten oder Epoxy-Kleben
  • RoHS konforme Palladium-Silber Anschlüsse
  • auf Aluminiumnitrit (AlN) Substrat bis 270W CW-Verlustleistung
  • auf Berylliumoxid (BeO) Substrat bis 150W CW-Verlustleistung
Broschüre nichtmagnetische Chipwiderstände

Flip Chip Widerstände für höchste FrequenzenBarry flip chip attenuator bis 60GHz

  • Flip-Chip-Widerstände in Größen von 0201 bis 2335, bis 50W Verlustleistung
  • mit Rückenmetallisierung in Größen von 0402 bis 5050, bis 400W Verlustleistung
  • Montage single-sided für Drahtbonden oder mit Anschlüssen nach unten für Löten oder Kleben
  • Metallisierungen: Gold, Zinn-Blei über Nickel-Gold, Zinn über Nickel-Gold oder Gold auf PtPdAU

Dickschicht-Hochfrequenz-Widerstände mit Flansch für hohe Leistungen Barry high power flanged resistors

  • niedrige parasitäre Kapazitäten
  • Widerstandswerte 1Ohm bis 1kOhm
  • Temperaturbereich -55°C bis 150°C
  • Standard-Toleranz ±5%
  • auf BeO 20W bis 1200W CW-Leistung
  • auf AlN 10W bis 250W CW-Leistung
  • alle sind RoHS konform

Dickschicht-Widerstände mit Anschlussfahnen für hohe LeistungenBarry leaded resistors

  • auf Aluminiumnitrid (AlN) bis 150W, auf Berylliumoxid (BeO) bis 200W
  • Standard-Widerstandswerte 50Ω oder 100Ω, Varianten von 0,5Ω bis 20kΩ
  • Toleranzen bis 1%
  • Temperaturbereich -55°C bis 150°C
  • Anschlussfahnen aus versilbertem Kupfer

Barry flanged RF terminationsHF-Abschlusswiderstände

Barry fertigt Hochfrequenz-Abschlusswiderstände als Chips, mit Anschlussfahnen und mit Flansch. 

HF-Abschlusswiderstände als Chips

in Größen von 0202 bis 3737, bis 60GHz oder mit Verlustleistung bis 250W

HF-Abschlusswiderstände mit Anschlussfahnen

auf AlN und BeO Substraten gibt es ebenfalls bis 250W

HF-Abschlusswiderstände mit versilbertem Kupfer-Flansch

auf AlN bis 800W, auf BeO bis 1750W

rf resistor power derating curveKupfer-Wolfram Flansch für höchste Zuverlässigkeit

Für Anwendungen, die höchste Zuverlässigkeit im Pulsbetrieb von Leistungsverstärkern oder bei starken Temperaturschwankungen erfordern, hat Barry spezielle Bauteile mit Kupfer-Wolfram (CuW) Flansch entwickelt. Diese Application Note erklärt die Vorteile im Pulsbetrieb.

Auf die speziellen Anforderungen an Widerstände für gepulste Anwendungen geht diese Veröffentlichung ein.

Barry high power RF terminationKundenspezifische keramische Komponenten

Barry entwickelt und fertigt kundenspezifische keramische Komponenten, mit und ohne resistive Elemente und Metallflansche. Hier finden Sie die Design Guidelines für keramische Komponenten.

Beispiele: Barry keramischer Mikrokanalklühler
wassergekühlter HF-Abschlusswiderstand mit 5kW Verlustleistung

keramischer Mikrokanal-Kühler (Bild rechts)


Kundenspezifische Dickschicht-Substrate für Hochfrequenz- und High-Rel-Anwendungen

Barry fertigt nach Kundenvorgaben präzise Dickschicht-Substrate für Anwendungen in der Hochfrequenztechnik (z.B. 5G Mikrowellenschaltungen), in der Raumfahrt und für militärische Anwendungen. Beispiele dafür sehen Sie hier.
Barry custom thick film substrate C2 Barry custom thick film substrate C3 Barry custom thick film substrate C5 Barry-custom-thick-film-substrate-C6
Barry führt auch Qualifikationen für Luft- und Raumfahrt durch.

Barry ceramic QFN RF packageQFN-Gehäuse für Hochfrequenz- und Mikrowellenanwendungen

Barry hat hermetisch dichte QFN-Gehäuse entwickelt
  • aus Aluminiumoxidkeramik (Al2O3, Alumina) und Aluminiumnitrid (AlN)
  • nach JEDEC-Standard
  • für Mikrowellen- und Millimeterwellenanwendungen bis 40GHz
  • geringe Verluste (Einfügedämpfung): DC bis 18GHz: 0,5dB; 18GHz bis 35GHz: 1,5dB
  • RoHS konform
  • kundenspezifische Versionen ab einigen tausend Stück
Produktübersicht keramische QFN-Gehäuse.

Hier die Übersicht der QFN-Standardgehäuse:
Größe
(quadratisch)
Anzahl Anschlüsse Konfiguration JEDEC MO-220
Typ
Modellbezeichnung
(Datenblatt)
3mm 12 Bare Seal Ring VEED-5 QFN-3312-0500
3mm 12 Grounded Seal Ring VEED-5 QFN-3312-0501
3mm 12 Castellated
Grounded Seal Ring
VEED-5 QFN-3312-0502
4mm 20 Bare Seal Ring VGGD-5 QFN-4420-0500
4mm 20 Grounded Seal Ring VGGD-5 QFN-4420-0501
4mm 20 Castellated
Grounded Seal Ring
VGGD-5 QFN-4420-0502
5mm 32 Bare Seal Ring VHHD-5 QFN-5532-0500
5mm 32 Grounded Seal Ring VHHD-5 QFN-5532-0501
5mm 32 Castellated
Grounded Seal Ring
VHHD-5 QFN-5532-0502
6mm 36 Bare Seal Ring VJJD-5 QFN-6636-0500
6mm 36 Grounded Seal Ring VJJD-5 QFN-6636-0501
6mm 36 Castellated
Grounded Seal Ring
VJJD-5 QFN-6636-0502
7mm 44 Bare Seal Ring VKKD-5 QFN-7744-0500
7mm 44 Grounded Seal Ring VKKD-5 QFN-7744-0501
7mm 44 Castellated
Grounded Seal Ring
VKKD-5 QFN-7744-0502
8mm 48 Bare Seal Ring VLLD QFN-8848-0500
8mm 48 Grounded Seal Ring VLLD QFN-8848-0501
8mm 48 Castellated
Grounded Seal Ring
VLLD QFN-8848-0502